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Elettronica - Resistenza MOSFET in regione di triodo
Forum - Elettronica - Resistenza MOSFET in regione di triodo

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Roby94 (Member)
Guru


Messaggi: 1127
Iscritto: 28/12/2009

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Postato alle 18:09
Martedì, 26/04/2016
Salve ragazzi, ho una perplessità puramente teorica che mi sta tenendo incollato ad internet e al mio fidato Sedra.
Quando si parla di regione di triodo, in particolare quando si insegna viene spesso propinata questa tipologia di grafico
http://i.stack.imgur.com/NfLV2.gif
una versione linearizzata del grafico vero e proprio che assomiglia piu a questo
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/1/18/I ...
ora qui è più evidente la non linearità della regione di triodo. Si nota però che la linearizzazione della zona di triodo comporta una resistenza vista dall'uscita del mosfet che diminuisce all'aumentare di Vgs cioè quello che mi aspetto guardando l'equazione caratteristica corrente/tensione del MOSFET in regione di triodo Id=k'[(Vgs-Vt)Vds-0.5*Vds^2]
Ora però passiamo alla realtà per fare ciò prendo un datasheet a caso tra quelli che saltano fuori da una ricerca su google per esempio
http://www.vishay.com/docs/91015/sihf510.pdf
se ci portiamo alla funzione caratteristica sembra che la Vgs non influisca minimamente sulla resistenza vista all'uscita del MOSFET, sembra che questa sia costante per ogni valore di Vgs.
Mi chiedo ora come mai in teoria viene proposto un discostamento cosi grande per valori diversi di Vgs e invece in pratica questo discostamento sembra essere assente? è un problema di semplificazione della formula Id(Vds,Vgs)? Oppure i valori propinati sui libri sono semplicemente una forzatura per rendere piu evidenti queste differenze che nella realtà risultano molto piccole? oppure e qualcos'altro ancora?

Vi ringrazio

PS Il discorso che ho fatto non si applica proprio a tutti i componenti discreti in commercio, ma noto che non risulta difficile trovare componenti dove la Ron è praticamente costante al variare di Vgs.


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pierotofy (Admin)
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Postato alle 0:03
Mercoledì, 27/04/2016
Non riesco a capire cosa intendi per "Vgs non influisca minimamente sulla resistenza vista all'uscita del MOSFET".

Il primo grafico in alto a sinistra nella pagina 3 del datasheet che hai linkato, Fig. 1 - Typical Output Characteristics, TC = 25 °C "Vds, Drain-to-Source Voltage (V) / Id, Drain Current (A)" ti mostra esattamente il tipo di curva che ti aspetteresti dal modello teorico.

Stiamo parlando di corrente, che c'entra la resistenza?


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Roby94 (Member)
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Postato alle 10:27
Mercoledì, 27/04/2016
Se ho una relazione lineare che lega corrente e tensione e passa nello zero posso rappresentarla come un pseudo legge di ohm, siamo d'accordo? Per tanto con un po di algebra posso ritornare alla forma normale V=I*m+q, giusto? Per tanto m la chiamo resistenza vista ai capi DS del MOSFET, sia chiaro finché posso mantenere linearità, quindi per escursioni molto piccole di Vds, sto dicendo cavolate?
Ora se guardo i grafici "teorici" nella regione di triodo noto una pendenza variabile della funzione Id=f(Vds, Vgs) al variare di Vgs, quindi una resistenza equivalente ai capi di del MOSFET che diminuisce con l'aumentare di Vgs per lo stesso valore di Vds. Allora mi chiedo perché questo aumento lo trovo solo nei grafici teorici e nel datasheet tutti i valori Vgs presentano la stessa pendenza?

Mi sono spiegato meglio?


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lumo (Member)
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Postato alle 12:56
Mercoledì, 27/04/2016
Non vorrei dire stupidaggini, ma mi sembra che i datasheet mostrino esattamente la stessa caratteristica del modello teorico.
Le rette hanno più o meno lo stesso andamento tra 0.1 e 1, da lì in poi piu è basso Vgs piu velocemente decrescono.

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